NAURA logra grabado selectivo que impulsa fabricación vertical de DRAM en China

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Fecha original: 6 sep. 2026, 10:50
Fecha en Limonatic: 6 sep. 2026, 19:45

China busca reducir su dependencia de la litografía EUV, tecnología restringida por Estados Unidos que permite procesos de fabricación más pequeños. En este contexto, NAURA Technology Group ha desarrollado un nuevo proceso de grabado para facilitar la fabricación de memorias 3D DRAM mediante estructuras apiladas verticalmente.

NAURA demostró en laboratorio una técnica sobre estructuras SiGe/Sin que permite crear grandes estructuras verticales depositando capas alternas de silicio y silicio-germanio. El objetivo es eliminar selectivamente el SiGe para generar cavidades entre las capas de silicio sin deteriorarlas, manteniendo la uniformidad desde la parte superior hasta el fondo de la pila.

La compañía logró una selectividad SiGe frente a Sin superior a 500:1 mediante un proceso cíclico basado en química de flúor. Esto método elimina subproductos sólidos y evita problemas de micro-loading, logrando uniformidad superior al 95% en estructuras de 128 capas alternas con una pérdida de silicio inferior a 1 nanómetro.

Esto avance beneficia directamente a CXMT, el mayor fabricante de DRAM de China, permitiéndole desarrollar memorias 3D que dependen menos de la litografía EUV. La tecnología es crucial para fortalecer la cadena de suministro local frente a las sanciones occidentales y reducir la dependencia tecnológica de Estados Unidos.

Imagen 1 de NAURA logra grabado selectivo que impulsa fabricación vertical de DRAM en China

Análisis editorial

China busca reducir su dependencia de la litografía EUV sancionada por Estados Unidos mediante un avance técnico que permite a CXMT acercarse a la fabricación de memorias 3D DRAM. El fabricante chino NAURA Technology Group ha validado experimentalmente un proceso de grabado capaz de crear estructuras apiladas verticales críticas, superando las barreras físicas que hasta ahora limitaban el desarrollo de alta densidad sin acceso a maquinaria occidental.

Este hito se basa en la demostración de una selectividad superior a 500:1 al eliminar capas de SiGe mientras se preservan las de silicio, con una precisión lateral de 200 nm y una uniformidad superior al 95% en estructuras de hasta 64 pares de capas. La técnica resuelve el problema del micro-loading mediante un ciclo de dos etapas basado en química de flúor que elimina subproductos sólidos sin acumular residuos, logrando pérdidas de silicio menores a 10 Å durante el grabado lateral.

A pesar de estos resultados prometedores en laboratorio, la viabilidad comercial inmediata sigue siendo incierta debido a la falta de detalles sobre la escalabilidad industrial y la complejidad restante para integrar todo el ecosistema necesario. La dependencia crítica de CXMT como principal beneficiario también introduce fricciones estratégicas, ya que el progreso técnico no garantiza una independencia total hasta resolver los desafíos de producción masiva y mitigar fallos en etapas posteriores no documentadas.

En conclusión, aunque este desarrollo marca un paso significativo hacia la autonomía tecnológica de China al ofrecer una alternativa viable a las restricciones geopolíticas actuales, la industria debe priorizar la resolución de los retos de escalado antes que cualquier lanzamiento comercial masivo. La memoria 3D DRAM representa el camino para mantener dimensiones horizontales más relajadas y aumentar la capacidad mediante apilamiento vertical, pero su éxito final dependerá de desbloquear completamente las restricciones de exportación y completar el puzle tecnológico restante.

Contexto y análisis adicional

Digest

Resumen ejecutivo

NAURA Technology Group ha validado experimentalmente un proceso de grabado con selectividad superior a 500: 1 y precisión lateral de 200 nm, lo que permite la creación de estructuras apiladas verticales críticas para memorias DRAM de alta densidad.
A pesar del éxito técnico en laboratorio, el avance se limita actualmente al prototipo y no garantiza una implementación comercial inmediata por CXMT debido a la complejidad restante y las restricciones de exportación de EUV.

Evidencias

NAURA ha demostrado una técnica concreta de grabado sobre estructuras SiGe/Si en laboratorio con una selectividad superior a 500: 1.
El proceso permite formar estructuras con hasta 64 pares de capas SiGe/Si, resultando en un total de 128 capas alternas.
NAURA asegura haber solucionado el problema del micro-loading mediante un ciclo de dos etapas basado en química de flúor que elimina subproductos sólidos sin acumular residuos.

Acciones

Evaluar el coste de reparación y protección de los equipos frente a la recurrencia de los daños señalados.
Revisar la aplicación del marco sancionador citado para disuadir daños contra bienes públicos.

Conclusión final

El desarrollo de NAURA marca un hito técnico significativo que reduce las barreras físicas para la DRAM 3D, aunque la viabilidad comercial sigue dependiendo de la integración completa del ecosistema y el desbloqueo de restricciones geopolíticas.

Riesgos

Riesgos/alertas

Bloqueo tecnológico inmediato por dependencia de litografía EUV sancionada por EE. UU.
Falta de escalabilidad industrial debido a la ausencia de detalles críticos del proceso y su estado actual limitado al laboratorio
Riesgo operativo de integración fallida en el ecosistema completo (puzle tecnológico) para CXMT

Acciones recomendadas

Priorizar la resolución de desafíos de escalado industrial antes que el lanzamiento comercial masivo
Desarrollar planes de contingencia para mitigar fallos en etapas posteriores no documentadas
Acelerar la integración del ecosistema completo alrededor de CXMT para reducir fricciones estratégicas

Señales/evidencias

Avance técnico viable con selectividad >500: 1 y estructuras de 64-128 capas en laboratorio
Uniformidad superior al 95% y pérdida de silicio menor a 10 Å
Dependencia crítica de CXMT como principal beneficiario pero también como punto de fricción estratégica

Conclusión

El progreso técnico reduce la vulnerabilidad inmediata ante sanciones EUV, pero no garantiza independencia total hasta resolver desafíos de escalado industrial e integración del ecosistema completo.

Autor · clanes

alberto Clanes (2)

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